公共頻譜點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)微波
新聞:天津華為微波傳輸RTN510型號(hào)
華為RTN510是工作在4.91-5.97 GHz公共頻段的點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)微波系統(tǒng)，支持視通(LOS)和非視通 (NLOS)傳輸，以及點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)靈活組網(wǎng)，能夠?qū)崿F(xiàn)視頻監(jiān)控等海量信息化站點(diǎn)的站點(diǎn)業(yè)務(wù)回傳，在平安城市、油氣田監(jiān)控、園區(qū)互聯(lián)和寬帶覆蓋等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
新聞:天津華為微波傳輸RTN510型號(hào)
型號(hào) RTN510 AP（中心站） RTN510 RT（遠(yuǎn)端站）
頻率范圍 5 GHz：4910 – 5970 MHz
波道間隔 10|20|40|80 MHz
RF 功能 GPS 同步
DFS (動(dòng)態(tài)頻率選擇)
AM (自適應(yīng)調(diào)制)
吞吐量 750 Mbps 250 Mbps
以太網(wǎng)業(yè)務(wù)端口 1*GE(o)，1* GE(e)，
1*GE (PoE) 1*GE (PoE)
功耗 25 W （典型） 10 W （典型）
供電方式 AC/DC/PoE
防護(hù)級(jí)別 IP67
運(yùn)行溫度 -40°C ～ +60°C
新聞:天津華為微波傳輸RTN510型號(hào)
主要用于存儲(chǔ)程序中的變量。在單芯片單片機(jī)中（*1），常常用SRAM作為內(nèi)部RAM。SRAM允許高速訪問，內(nèi)部結(jié)構(gòu)太復(fù)雜，很難實(shí)現(xiàn)高密度集成，不適合用作大容量?jī)?nèi)存。除SRAM外，DRAM也是常見的RAM。DRAM的結(jié)構(gòu)比較容易實(shí)現(xiàn)高密度集成，比SRAM的容量大。將高速邏輯電路和DRAM安裝于同一個(gè)晶片上較為困難，一般在單芯片單片機(jī)中很少使用，基本上都是用作外圍電路。（*1）單芯片單片機(jī)是指：將CPU，ROM，RAM，振蕩電路，定時(shí)器和串行I/F等集成于一個(gè)LSI的微處理器。
