Q Q: 304166234,135-5405-5580 唐唐
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參數(shù) 數(shù)據(jù)類型存儲區(qū)域 說明
<地址> BOOL I，Q，M，L，D 邊沿存儲位，存儲RLO的前一信號狀態(tài)
說明
---( N )---（RLO 下降沿檢測指令）可以檢測地址從“1”到“0”的信號變化，并在操作
之后以顯示RLO =“1”。將RLO 的當(dāng)前信號狀態(tài)與“邊沿存儲位”地址的信號狀態(tài)進(jìn)行比
較。如果操作之前地址的信號狀態(tài)為“1”，并且RLO 為“0”，則在操作之后，RLO 將為
“1”（脈沖），所有其它的情況為“0”。操作之前的RLO 存儲在地址中。
狀態(tài)字
BR CC 1 CC 0 OV OS OR STA RLO /FC
寫 - - - - - 0 x x 1
舉例
邊沿存儲位 M0.0 存儲RLO 的舊狀態(tài)。如果RLO 的信號從“1”變?yōu)椤?”，則程序跳轉(zhuǎn)至
標(biāo)號 CAS1 處。
位邏輯指令
1-12
1.13 ---( P )--- RLO 上升沿檢測
符號
<地址>
---(P)---
參數(shù) 數(shù)據(jù)類型存儲區(qū)域 說明
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“1”，
則SR（置位復(fù)位觸發(fā)器）復(fù)位。如果在兩個輸入端RLO 均為“1”，則順序優(yōu)先，觸發(fā)器
置位。在指定<地址>，置位復(fù)位觸發(fā)器首先執(zhí)行置位指令，然后執(zhí)行復(fù)位指令，以使該地
址保持復(fù)位狀態(tài)程序掃描剩余時間。
S（置位）和 R（復(fù)位）指令只有在RLO 為“1”時才執(zhí)行。RLO“0”對這些指令沒有任
何作用，并且指令中的指定地址保持不變。
MCR（主控繼電器）附屬級
MCR 附屬級只有在置位復(fù)位觸發(fā)器放在激活的MCR 區(qū)中時才能觸發(fā)。在一個激活的MCR
區(qū)內(nèi)，如果MCR 接通，則被尋址的位將如上所述被置位為“1”或復(fù)位為“0”。如果MCR
斷開，則指定地址的當(dāng)前狀態(tài)保持不變，與輸入狀態(tài)無關(guān)。
狀態(tài)字
BR CC 1 CC 0 OV OS OR STA RLO /FC
寫 - - - - - x x x 1
舉例
位邏輯指令
1-11
如果輸入 I0.0 的信號狀態(tài)為“1”，輸入 I0.1 的信號狀態(tài)為“0”，則存儲位 M0.0 將被置
位，輸出 Q4.0 為“1”。相反，如果輸入 I0.0 的
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6GK1 561-3AA01 CP5613 PCI通訊卡
6GK7 342-5DA02-0XE0 CP342-5通訊模塊
6ES7 354-1AH01-0AE0 FM354 伺服電機(jī)定位模塊
6ES7 355-0VH10-0AE0 帶4個模擬輸出的四通道閉環(huán)控制模塊 FM355C
6ES7 355-1VH10-0AE0 用于4個步進(jìn)或脈沖控制器的閉環(huán)控制模塊FM355S
6ES7400-1TA01-0AA0 底板
6ES7400-1JA01-0AA0 底板
6ES7412-2XJ05-0AA0 CPU412
6ES7414-2XK05-0AB0 CPU414
6ES7407-0KA01-0AA0 10A電源
6ES7952-1KK00-0AA0 1M存儲器
6ES7952-1KL00-0AA0 2M存儲器
6ES7971-0BA00 后備電池
6ES7421-1BL01-0AA0 32點(diǎn)數(shù)字輸入,24VDC
6ES7421-7BH01-0AB0 16點(diǎn)數(shù)字輸出,24VDC
6ES7422-1BL00-0AA0 32點(diǎn)數(shù)字輸出,24VDC
6ES7422-1BH11-0AA0 16點(diǎn)數(shù)字輸出,24VDC
6ES7422-1HH00-0AA0 16點(diǎn)繼電器輸出
6ES7431-7QH00-0AB0 16點(diǎn)模擬量輸入
6ES7431-1KF00-0AB0 8點(diǎn)模擬量輸入
6ES7431-7KF00-0AB0 8點(diǎn)模擬量輸入
6ES7431-7KF10-0AB0 8點(diǎn)模擬量輸出
6ES7432-1HF00-0AB0 8點(diǎn)模擬量輸出
6ES7460-0AA01-0AB0 擴(kuò)展模塊
6ES7461-0AA01-0AA0 擴(kuò)展模塊
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