專利簡介:
一種電學(xué)器件，其特征在于，包括：絕緣基底，該絕緣基底具有相對的第一表面及第二表面；磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜設(shè)置在該第一表面，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的材料由化學(xué)式Cry(BixSb1?x)2?yTe3表示，其中0.05<x<0.3，0<y<0.3，且1:2<x:y<2:1，x與y的值選擇為使鉻在該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜中引入的空穴型載流子與鉍在該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜中引入的電子型載流子基本相互抵消，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的載流子濃度為1×1013cm?2以下，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的厚度為3QL至5QL。
發(fā)明專利---未交費--未下證。
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公司主營業(yè)務(wù)：
1.圖書出版專著教材掛名 2.獨著合著主編副主編掛名 3.重新設(shè)計申請專利 4.轉(zhuǎn)讓專利申請下證 5.學(xué)術(shù)期刊發(fā)表 6.省級雜志發(fā)表 7.省級課題掛名 8.大學(xué)學(xué)報發(fā)表
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