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SIMATIC S7，RAM 存儲卡 針對 S7-400，長結構形式， 8 Mbyte供應全新西門子8MB內存卡正品 | |
| 存儲器 | ||
| 存儲器類型 | RAM | |
| 存儲器大小 | 8 Mbyte | |
| 附件 | ||
| 屬于產品 | S7-400供應全新西門子8MB內存卡正品 | |
| 重量 | ||
| 重量，約 | 60 g | |
| 上一次修改： | 2018/10/26 | |
型號 SM 1223 DI 8 x 120/230 V AC/
DQ 8 x RLY
數(shù)字輸出
輸出點數(shù) 8
類型 繼電器，干觸點
電壓范圍 5 － 30 V DC 或 5 － 250 V AC
最大電流時的邏輯 1 信號 －
具有 10 KΩ 負載時的邏輯 0 信號 －
電流（最大） 2.0 A
燈負載 30 W DC/200 W AC
通態(tài)觸點電阻 新設備最大 0.2 Ω
每點的漏泄電流 －
浪涌電流 觸點閉合時為 7 A
過載保護 無供應全新西門子8MB內存卡正品
隔離（現(xiàn)場側與邏輯側） 1500 V AC 持續(xù) 1 分鐘（線圈與觸點）
無（線圈與邏輯側）
隔離電阻 新設備最小為 100 MΩ
斷開觸點間的絕緣 750 V AC 持續(xù) 1 min
隔離組 2
每個公共端的電流（最大） 10 A
電感鉗位電壓 －
開關延遲（最大） 10 ms
最大延遲開關頻率 1Hz
機械壽命（最大） 10,000,000 斷開 / 閉合周期供應全新西門子8MB內存卡正品
額定負載下的觸電壽命 1000,000 斷開 / 閉合周期
RUN － STOP 時的行為 上一個值或替換值（默認值為 0）
同時接通時的輸出數(shù) 8
電纜長度（米） 500（屏蔽）；150（非屏蔽）
1 G120 PROFIBUS通信功能概述
SINAMICS G120第二代控制單元CU240B-2 DP、CU240E-2 DP、CU240E-2 DP F支持基于PROFIBUS的周期過程數(shù)據(jù)交換和變頻器參數(shù)訪問。
> 周期過程數(shù)據(jù)交換--通過該通信PROFIBUS主站可將控制字和主設定值等過程數(shù)據(jù)周期性的發(fā)送至變頻器，并從變頻
器周期性的讀取狀態(tài)字和實際轉速等過程數(shù)據(jù)。G120最多可以接收和發(fā)送8個過程數(shù)據(jù)。該通信使用周期性通信的
PZD通道（過程數(shù)據(jù)區(qū)），變頻器不同的報文類型定義了不同數(shù)量的過程數(shù)據(jù)（PZD）。
> 變頻器參數(shù)訪問--提供PROFIBUS主站訪問變頻器參數(shù)的接口，有兩種方式能夠訪問變頻器參數(shù)：
本文通過示例介紹S7-1200與CU240E-2 DP F的PROFIBUS 非周期通信，介紹如何通過非周期通信讀寫多個變頻器參數(shù)。
2 非周期通信
非周期通信工作模式：主站調用“WRREC” 指令將“參數(shù)請求”寫入從站，從站內部處理后，主站調用“RDREC”指令讀取包含“參數(shù)應答”數(shù)據(jù)記錄?！皡?shù)請求”和“參數(shù)應答”的數(shù)據(jù)內容應遵照PROFIdrive參數(shù)通道（DPV1）數(shù)據(jù)集DS47（非周期參數(shù)通道結構）。“參數(shù)請求”包括讀參數(shù)和寫參數(shù)請求，其數(shù)據(jù)結構參考表2-1。參數(shù)請求結構字段的說明參考表2-2?！皡?shù)應答”包括讀參數(shù)和寫參數(shù)應答，其數(shù)據(jù)結構參考表2-3。參數(shù)應答結構字段說明參考表2-4。參數(shù)應答中的故障值說明1、參數(shù)應答中的故障值說明2參考表2-5和表2-6。使用非周期通信對讀寫參數(shù)數(shù)量沒有限制，但每個讀寫任務最大為240個字節(jié)。
表2-1 參數(shù)請求數(shù)據(jù)結構
