是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強型隔離柵極驅(qū)動器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出側(cè)支持的電源電壓范圍為 15V 至 30V。兩路互補 CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動器輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。
內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過載狀態(tài)。當檢測到 DESAT 時，柵極驅(qū)動器輸出會被拉低為 VEE2 電勢，從而將 IGBT 立即關斷。
當發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導通。
當發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導通。
柵極驅(qū)動器是否準備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變?yōu)榈碗娖?；否則，該輸出為高電平。
ISO5851 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
