D mode HEMT硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)商 4英寸
蘇州恒邁瑞材料科技作為氮化鎵外延片廠家,可提供4英寸-8英寸硅基氮化鎵外延片定制,用于電子電力HEMT及RF射頻高電子遷移率晶體管。GaN on Si氮化鎵外延片可分為D MODE結(jié)構(gòu)E MODE結(jié)構(gòu)和RF結(jié)構(gòu)。除此之外我司還提供碳化硅基氮化鎵外延片及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片,LED氮化鎵外延片定制生產(chǎn),詳細(xì)需求請(qǐng)聯(lián)系我司。
第三代半導(dǎo)體材料GaN由于具有眾多優(yōu)異的物理特性,非常適合制備高溫、高頻、大功率電子器件,具有很好的應(yīng)用前景。由于缺乏優(yōu)質(zhì)的GaN同質(zhì)襯底,而硅基氮化鎵襯底具備尺寸大、高性價(jià)比等優(yōu)點(diǎn),使得其成為適合商用GaN功率器件生長(zhǎng)的理想襯底。目前,采用Si硅上生長(zhǎng)GaN氮化鎵材料這一技術(shù)路線制備功率電子器件,已經(jīng)成為業(yè)界的共識(shí)。蘇州恒邁瑞材料科技供應(yīng)的2英寸到8英寸的硅基氮化鎵外延片能夠滿足650V功率器件的要求。