半絕緣碳化硅晶錠廠商 4H-SI型碳化硅襯底工廠
蘇州恒邁瑞材料科技生產(chǎn)供應(yīng)半絕緣型碳化硅晶棒，產(chǎn)品尺寸為4英寸或者6英寸。晶向：On axis : <0001>±0.5°。晶棒厚度平均為20mm。同時(shí)也提供半絕緣型碳化硅襯底晶片，厚度為500um。
SiC材料開關(guān)損耗極低，全SiC功率模塊的開關(guān)損耗大大低于同等IGBT模塊的開關(guān)損耗，而且開關(guān)頻率越高，與IGBT模塊之間的損耗差越大，這就意味著對(duì)于IGBT模塊不擅長(zhǎng)的高速開關(guān)工作，全SiC功率模塊不僅可以大幅降低損耗還可以實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)。SiC材料具備更低的通態(tài)電阻，阻值相同的情況下可以縮小芯片的面積，SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。SiC的禁帶寬度3.23ev，相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度，承受的溫度相對(duì)Si更高；SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導(dǎo)率，而硅材料的熱導(dǎo)率僅有1.5W/cm/K，更高的熱導(dǎo)率可以帶來功率密度的顯著提升，同時(shí)散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，或者直接采用自然冷卻。
