30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
描述
NP3400B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供出色的RDS(上)
?五世
低柵極電荷和高
超低導(dǎo)通電阻的密度單元設(shè)計(jì)。這
器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或用于PWM
應(yīng)用程序。
一般特征
DS =30V，ID R =5A
DS(開(kāi))(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5V
RDS(開(kāi))(典型值。)= 31mω@ VGS
?高功率和電流處理能力
=4.5V
收購(gòu)?無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面貼裝封裝
應(yīng)用
? PWM應(yīng)用
?負(fù)荷開(kāi)關(guān)
