隨著功率器件的發(fā)展,感應(yīng)加熱電源的頻率也逐步提高,經(jīng)歷了中頻、超音頻、高頻幾個階段。在感應(yīng)加熱電源的應(yīng)用中,淬火、焊管、焊接等工藝都要求高頻率高功率的電源。功率MOSFET雖然可以實現(xiàn)高頻工作,但其電壓、電流容量等級低,大功率電源需采用串、并聯(lián)技術(shù),影響了電源運行的可靠性。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)比較容易實現(xiàn)電源高功率化,但在高頻情況下,其開關(guān)損耗,尤其是IGBT關(guān)斷時存在的尾部電流,會限制工作頻率的進一步提高。
本文論述的中頻感應(yīng)加熱電源采用功率自關(guān)斷功率器件IGBT,負(fù)載頻率是開關(guān)管工作頻率的二倍,間接拓寬了IGBT的使用頻率;功率管工作于零電流開關(guān)狀態(tài),徹底消除了尾部電流引起的關(guān)斷損耗,理論上可實現(xiàn)零開關(guān)損耗;同時采用死區(qū)控制策略后,可實現(xiàn)負(fù)載阻抗調(diào)節(jié)。以往一般采用晶閘管來實現(xiàn)逆變電路,但是晶閘管關(guān)斷期反壓太低,參數(shù)匹配麻煩,輸出頻率仍然偏低;而采用IGBT后,并讓電路工作在電流斷續(xù)狀態(tài)下,這些問題都得到很好地解決。
為滿足中小工件加熱的需要,研制了一種新型線效的中頻感應(yīng)加熱電源。該電源具有輸出電壓低圈匝數(shù)少、不需要中頻變壓器降壓、結(jié)構(gòu)簡單、效率高。
在感應(yīng)加熱設(shè)備中存在著三個效應(yīng)——集膚效應(yīng)、近鄰效應(yīng)和圓環(huán)效應(yīng)。
集膚效應(yīng):當(dāng)交變電流通過導(dǎo)體時,沿導(dǎo)體截面上的電流分布式部均勻的,最大電流密度出現(xiàn)在導(dǎo)體的表面層,這種電流集聚的現(xiàn)象稱為集膚效應(yīng)。
近鄰效應(yīng)——當(dāng)兩根通有交流電的導(dǎo)體靠得很近時,在互相影響下,兩導(dǎo)體中的電流要重新分布。當(dāng)兩根導(dǎo)體流的電流是反方向時,最大電流密度出現(xiàn)在導(dǎo)體內(nèi)側(cè);當(dāng)兩根導(dǎo)體流的電流是同方向時,最大電流密度出現(xiàn)在導(dǎo)體外側(cè),這種現(xiàn)象稱為近鄰效應(yīng)。
圓環(huán)效應(yīng):若將交流電通過圓環(huán)形線圈時,最大電流密度出現(xiàn)在線圈導(dǎo)體的內(nèi)側(cè),這種現(xiàn)象稱為圓環(huán)效應(yīng)。
感應(yīng)加熱電源就是綜合利用這三種效應(yīng)的設(shè)備。在感應(yīng)線圈中置以金屬工件,感應(yīng)線圈兩端加上交流電壓,產(chǎn)生交流電流,在工件中產(chǎn)生感應(yīng)電流。此兩電流方向相反,情況與兩根平行母線流過方向相反的電流相似。當(dāng)電流和感應(yīng)電流相互靠攏時,線圈和工件表現(xiàn)出鄰近效應(yīng),結(jié)果,電流集聚在線圈的內(nèi)側(cè)表面,電流聚集在工件的外表面。這時線圈本身表現(xiàn)為圓環(huán)效應(yīng),而工件本身表現(xiàn)為集膚效應(yīng)。
??? 交變磁場在導(dǎo)體中感應(yīng)出的電流亦稱為渦流。工件中產(chǎn)生的渦流由于集膚效應(yīng),沿橫截面由表面至中心按指數(shù)規(guī)律衰減,工程上規(guī)定,當(dāng)渦流強度從表面向內(nèi)層降低到其數(shù)值等于最大渦流強度的1/e(即36.8% ),該處到表面的距離△稱為電流透入深度。由于渦流所產(chǎn)生的熱量與渦流的平方成正比,因此由表面至芯部熱量下降速度要比渦流下降速度快的多,可以認(rèn)為熱量(85~90%)集中在厚度為△的薄層中