產(chǎn)品參數(shù) | |||
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品牌 | ON | ||
封裝 | SOT223 | ||
批號 | 21 | ||
數(shù)量 | 16000 | ||
制造商 | onsemi | ||
產(chǎn)品種類 | MOSFET | ||
安裝風(fēng)格 | SMD/SMT | ||
封裝 / 箱體 | SOT-223-3 | ||
晶體管極性 | P-Channel | ||
通道數(shù)量 | 1 Channel | ||
Vds-漏源極擊穿電壓 | 60 V | ||
Id-連續(xù)漏極電流 | 2.6 A | ||
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 | 185 mOhms | ||
Vgs - 柵極-源極電壓 | - 20 V | ||
20 V | |||
Vgs th-柵源極閾值電壓 | 2 V | ||
Qg-柵極電荷 | 14.3 nC | ||
最小工作溫度 | - 55 C | ||
最大工作溫度 | 175 C | ||
Pd-功率耗散 | 2.3 W | ||
通道模式 | Enhancement | ||
配置 | Single | ||
下降時間 | 38 ns | ||
正向跨導(dǎo) - 最小值 | 1.77 S | ||
高度 | 1.57 mm | ||
長度 | 6.5 mm | ||
上升時間 | 7.6 ns | ||
系列 | NTF2955 | ||
晶體管類型 | MOSFET | ||
典型關(guān)閉延遲時間 | 11 ns | ||
典型接通延遲時間 | 3.5 mm | ||
寬度 | 250 mg | ||
可售賣地 | 全國 | ||
型號 | NTF2955T1G |