| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 新思 | ||
| 產(chǎn)品特性 | 導(dǎo)電性 | ||
| 驅(qū)動芯片類型 | 液晶屏驅(qū)動 | ||
| 針腳數(shù) | 12 | ||
| 封裝 | 真空封裝 | ||
| 系列 | 液晶驅(qū)動IC | ||
| 功率 | 1kW | ||
| 批號 | 2010及以前、2021 | ||
| 特色服務(wù) | 公道 | ||
| 產(chǎn)品說明 | 半導(dǎo)體集成電路 | ||
| 包裝 | 真空封裝 | ||
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 3C數(shù)碼 | ||
| 驅(qū)動AC180V | 10.2W | ||
| 驅(qū)動AC220V | 10.4W | ||
| 驅(qū)動AC265V | 10.3W | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 用途 | 手機(jī) | ||
| 類型 | 驅(qū)動IC | ||
| 型號 | TD4322 | ||
長期求購奕力、凌陽、聯(lián)詠、奇景、夕創(chuàng)、墩泰、匯頂、新思、賽普拉斯等各品牌IC
回收液晶驅(qū)動IC，回收裸片IC，回收手機(jī)數(shù)碼類驅(qū)動IC
驅(qū)動IC在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器（Phase-Change Memory；PCM）、磁阻存儲器（Magneto Resistive Memory；M-RAM）、電阻存儲器（Resistive Memory；RRAM）等技術(shù)已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，DDR4將可能是末代的DDR存儲器，屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會出現(xiàn)極為劇烈的變動。
NAND Flash逼近制程物理極限 以3D提升容量密度
以浮閘式（Floating Gate）半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的NAND Flash非揮發(fā)性存儲器，隨著Flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量 不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。
Micron自家市場統(tǒng)計(jì)預(yù)測指出，從2012到2016年總體NAND Flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長率可達(dá)51。2013年，美光（Micron）與SK Hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的NAND Flash存儲器技術(shù)，而東芝（Toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)NAND Flash存儲器芯片產(chǎn)品。
NAND Flash傳輸速率，從2010年ONFI 2.0的133MB/s，eMMC v4.41的104MB/s；到2011年ONFI v2.2/Toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200MB/s，eMMC v4.5拉高到200MB/s，UFS 1.0傳輸速率為2.9Gbps；2012年ONFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s，UFS v2.0傳輸速率倍增為5.8Gbps；預(yù)估到2015年，ONFI v4.x/Toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800MB/s、1.6GB/s。
隨著NAND Flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數(shù)（P/E Cycles）的縮減。SLC存儲器從3x納米制程的100，000次P/E Cycles、4個(gè)ECC bit到2x納米制程降為60，000 P/E、ECC 24bit。MLC從早期5x納米制程10，000 P/E、ECC 8bit，到2x/2y納米制程時(shí)已降為3，000 P/E、24~40個(gè)ECC bit。
有廠商提出，eSLC、iSLC的存儲器解決方案，以運(yùn)用既有的 的MLC存儲器，在單一細(xì)胞電路單元使用SLC讀寫技術(shù)（只儲存單一位元的電荷值），抹寫 度提升到30，000次P/E， 雖比MLC高，但 遠(yuǎn)優(yōu)于SLC，可應(yīng)用在IPC／Kiosk／POS系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。
