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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
innodisk宜鼎 寬溫內(nèi)存條 ddr4 32G 工業(yè)內(nèi)存條
innodisk宜鼎 寬溫內(nèi)存條 ddr4 32G 工業(yè)內(nèi)存條
產(chǎn)品價(jià)格：￥
上架日期：2020-08-06 16:50:36
產(chǎn)地：臺(tái)灣
發(fā)貨地：北京
供應(yīng)數(shù)量：不限
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詳細(xì)說(shuō)明


    寬溫系列

    強(qiáng)固型工規(guī)級(jí)的DIMM系列，是專為極高、極低、或是忽冷忽熱的嚴(yán)峻溫差環(huán)境所設(shè)計(jì)。我們的內(nèi)存模塊皆通過(guò)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，并可在 -40°C~85°C 溫度下運(yùn)作。

    概述:

    ddr4 WT (寬溫度) udimm 提供了業(yè)界快的內(nèi)存速度，2666mt / s-完美適合任何車載，監(jiān)視，自動(dòng)化和嵌入式應(yīng)用程序。 這些模塊符合所有相關(guān)的 jedec 標(biāo)準(zhǔn)，可以在 -40 °c 到85 °c 的溫度下工作，有4gb，8gb，16gb 和32gb 的容量。 2133mt / s 和2400mt / s 模塊也可用。

    規(guī)格：

    Interface DDR4
    Form Factor WT UDIMM
    Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s
    Capacity 4GB, 8GB, 16GB, 32GB
    Function Non-ECC Unbuffered Memory
    Pin Number 288pin
    Width 64Bits
    Voltage 1.2V
    PCB Height 1.23 Inches
    Operating Temperature -40°C to 85°C
    30μ” Golden Finger Y
    Anti-Sulfuration Y

    產(chǎn)品料號(hào)：

    Density Component
    Comb     		Part Number Rank Voltage Debion
    4GB 512Mx8 M4U0-4GMSJISJ 1Rx8 1.2V DDR4 2400 WT UDIMM
    8GB 512Mx8 M4U0-8GMSKISJ 2Rx8 1.2V DDR4 2400 WT UDIMM
    16GB 1Gx8 M4U0-AGM1KISJ 2Rx8 1.2V DDR4 2400 WT UDIMM
    32GB 1Gx8 M4U0-BGS2K5IK 2Rx8 1.2V DDR4 2666 WT UDIMM


    宜鼎全面抗硫化技術(shù)

    硫在很多環(huán)境中都很常見(jiàn)，而在工業(yè)環(huán)境下，當(dāng)DRAM中的銀合金接觸硫化氣體時(shí)，就會(huì)發(fā)生腐蝕反應(yīng)，并降低導(dǎo)電性并導(dǎo)致產(chǎn)品失效。宜鼎所推出的專業(yè)抗硫化技術(shù)，通過(guò)抗硫化ASTM B809-95的嚴(yán)格測(cè)試規(guī)范，能有效抵御
    環(huán)境中的硫化影響。
    提供完美保護(hù)展現(xiàn)高效性能
    面對(duì)日益嚴(yán)峻的工業(yè)環(huán)境，我們?nèi)詧?jiān)持提供品質(zhì)的產(chǎn)品，硫化氣體所帶來(lái)的威脅，我們率先為全系列DDR4都加入抗硫化技術(shù)，為每一件產(chǎn)品提供離保護(hù)，以領(lǐng)先業(yè)界的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，將產(chǎn)品規(guī)格全面提升。
    Innodisk has implemented full anti-sulfuration protection for all DDR4 modules.
    抗硫納入標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品極限再突破
    硫化物對(duì)于工業(yè)環(huán)境是一個(gè)潛在威脅，環(huán)境中只存在著極少量的硫化氣體，它可能造成設(shè)備腐蝕。宜鼎抗硫化隔離技術(shù)，可以確保DRAM模組完美運(yùn)行無(wú)虞。
    DRAM with Anti Sulfur Protective Layer

    推薦產(chǎn)品： 工業(yè)用內(nèi)存模塊




    DDR4 RDIMM VLPDDR4 RDIMM

    DDR4 ECC UDIMM VLPDDR4 ECC SODIMM

    DDR4 Mini ECC VLPDDR4 Mini RDIMM VLP



    DDR4 RDIMM VLPDDR4 RDIMM
    DDR4 ECC UDIMM VLPDDR4 ECC SODIMM
    DDR4 Mini ECC VLPDDR4 Mini RDIMM VLP
    DDR4 RDIMM VLPDDR4 RDIMM
    現(xiàn)今PCB (印刷電路板)已朝向越來(lái)越小、功能越來(lái)越強(qiáng)的趨勢(shì)發(fā)展。當(dāng)PCB上面的焊接點(diǎn)隨之縮小時(shí)，很容易受到高溫與外部壓力的影響，致使芯片松脫、系統(tǒng)不穩(wěn)。而使用Side Fill 技術(shù)使其強(qiáng)固化，則是符合經(jīng)濟(jì)效益的方式。
    惡劣環(huán)境，無(wú)所動(dòng)搖
    Side Fill 技術(shù)可讓芯片與電路板之間的焊接點(diǎn)更加穩(wěn)固，即使長(zhǎng)期處于惡劣的環(huán)境中，受到極端的外力沖擊或振動(dòng)，依然不受影響而穩(wěn)定運(yùn)作。
    強(qiáng)韌黏著，高熱無(wú)懼
    因溫度變化所形成的熱脹冷縮，經(jīng)常造成焊接點(diǎn)脫落或接觸不良，致使系統(tǒng)不穩(wěn)定。透過(guò)點(diǎn)膠 (Side Fill) 技術(shù)，可讓每個(gè)組件擁有更強(qiáng)韌的黏著度而不易與PCB脫落。此外，我們另配有額外的散熱片，可幫助內(nèi)存更快散熱。
    超低成本，極高回報(bào)
    Side Fill 技術(shù)是一種簡(jiǎn)單又經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的強(qiáng)固型解決方案，若您的產(chǎn)品常因極端環(huán)境影響，造成維護(hù)成本增加，使用Side Fill 技術(shù)進(jìn)行設(shè)備強(qiáng)固化，將會(huì)是好的解決方案。這種做法不僅節(jié)省成本，亦可降低系統(tǒng)當(dāng)機(jī)所帶來(lái)的損失。


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