上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過(guò)同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.
離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD
考夫曼離子源 KDC 40 中心到基片中心距離控制在 300mm, 離子源和基片都設(shè)計(jì)為高度可調(diào)節(jié), 客戶可根據(jù)不同的工藝要求選擇合適的角度. 離子源上面做可聯(lián)動(dòng)控制的蓋板, 在離子源剛啟動(dòng)時(shí)關(guān)閉蓋板, 待離子束流穩(wěn)定后打開(kāi)蓋板, 對(duì)基片做預(yù)清潔和輔助鍍膜等工藝, 保證工藝的穩(wěn)定性和均勻性. 當(dāng)工藝完成后可以技術(shù)關(guān)閉蓋板, 保證離子源不被污染, 延長(zhǎng)離子源使用壽命, 降低保養(yǎng)成本.
KRi 離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳?xì)浠衔餁埩?br />
去除化學(xué)吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?
KRi 離子源輔助鍍膜 IBAD
通過(guò)向生長(zhǎng)的薄膜中添加能量來(lái)增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子/分子的流動(dòng)性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化.
通過(guò)向生長(zhǎng)薄膜中添加活性離子來(lái)增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計(jì)量完整材料.
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮?dú)? 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 120 mA.
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型號(hào) |
KDC 40 |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 陰極燈絲 |
1 |
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- 陽(yáng)極電壓 |
0-100V DC |
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電子束 |
OptiBeam? |
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- 柵極 |
專用, 自對(duì)準(zhǔn) |
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-柵極直徑 |
4 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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電源控制 |
KSC 1202 |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
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- 架構(gòu) |
移動(dòng)或快速法蘭 |
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- 高度 |
6.75' |
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- 直徑 |
3.5' |
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- 離子束 |
聚集, 平行, 散射 |
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-加工材料 |
金屬, 電介質(zhì), 半導(dǎo)體 |
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-工藝氣體 |
惰性, 活性, 混合 |
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-安裝距離 |
6-18” |
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- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用于標(biāo)準(zhǔn)和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設(shè)計(jì)具有納米精度的薄膜和表面. 無(wú)論是密度壓實(shí), 應(yīng)力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側(cè)壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理.
上海伯東同時(shí)提供熱蒸鍍機(jī)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)更高質(zhì)量的設(shè)備.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
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