KRi 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國原裝進口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
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陽極 |
電感耦合等離子體 |
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最大陽極功率 |
>1kW |
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最大離子束流 |
> 1000mA |
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電壓范圍 |
100-1200V |
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離子束動能 |
100-1200eV |
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氣體 |
Ar, O2, N2, 其他 |
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流量 |
5-50 sccm |
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壓力 |
< 0.5mTorr |
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離子光學(xué), 自對準 |
OptiBeamTM |
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離子束柵極 |
22cm Φ |
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柵極材質(zhì) |
鉬 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000, MHC 1000 |
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高度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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鎖緊安裝法蘭 |
10”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸
KRI 射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
射頻離子源 RFICP 220 集成于半導(dǎo)體設(shè)備, 實現(xiàn) 8寸芯片蝕刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
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