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ABB半導(dǎo)體開發(fā)的SPT (軟穿通) 芯片組，及其低損耗改進(jìn)型SPT+和SPT++可應(yīng)用于額定電壓1200及1700伏特。
由于能很好的抑制芯片尺寸的縮小，因此在額定電流下才能達(dá)到最高的輸出功率和具有更大的芯片面積。
額定電壓1200伏特的產(chǎn)品組裝后的功率變流器，典型應(yīng)用領(lǐng)域包括工業(yè)傳動，太陽能，
電池組備用系統(tǒng)（不間斷電源系統(tǒng)UPS）以及電力機(jī)車。在額定電壓1700伏特的應(yīng)用包括工業(yè)傳動，
功率變流，風(fēng)力發(fā)電及牽引變流器。
IGBT 型號 數(shù)據(jù)表 類型 尺寸 (mm) VCES (V) IC (A)
1.2 kV 
5SMY 76H1280/
5SMY 86H1280 5SMY 12H1280 SPT+ 9.1 x 9.1 1200 57
5SMY 76J1280/
5SMY 86J1280 5SMY 12J1280 SPT+ 10.2 x 10.2 1200 75
5SMY 76K1280/
5SMY 86K1280 5SMY 12K1280 SPT+ 11.2 x 11.9 1200 100
5SMY 76M1280/
5SMY 86M1280 5SMY 12M1280 SPT+ 13.5 x 13.5 1200 150
1.7 kV 
5SMY 86G1721 5SMY 12G1721 SPT+ 8.6 x 8.6 1700 50
5SMY 86J1721 5SMY 12J1721 SPT+ 10.1 x 10.1 1700 75
5SMY 76J1730/
5SMY 86J1730 5SMY 12J1730 SPT++ 10.1 x 10.1 1700 75
5SMY 86K1721 5SMY 12K1721 SPT+ 11.4 x 11.4 1700 100
5SMY 76K1730
5SMY 86K1730 5SMY 12K1730 SPT++ 11.4 x 11.4 1700 100
5SMY 86L1731 5SMY 12L1731 SPT++ 7.4 x 19.9 1700 120
5SMY 86M1721 5SMY 12M1721 SPT+ 13.6 x 13.6 1700 150
5SMY 86M1730 5SMY 12M1730 SPT++ 13.6 x 13.6 1700 150
5SMY 86M1731 5SMY 12M1731 SPT++ 13.9 x 14.0 1700 160
Diode 型號 數(shù)據(jù)表 類型 尺寸 (mm) VRRM (V) IF (A)
1.2 kV 
5SLY 76E1200/
5SLY 86E1200 5SLY 12E1200 SPT+ 6.3 x 6.3 1200 50
5SLY 76F1200/
5SLY 86F1200 5SLY 12F1200 SPT+ 7.4 x 7.4 1200 75
5SLY 76G1200/
5SLY 86G1200 5SLY 12G1200 SPT+ 8.4 x 8.4 1200 100
5SLY 76J1200/
5SLY 86J1200 5SLY 12J1200 SPT+ 10 x 10 1200 150
1.7 kV 
5SLZ 76E1700 5SLZ 12E1700 SPT++/ FSA 6.6 x 6.6 1700 50
5SLY 86E1700 5SLY 12E1700 SPT+ 6.6 x 6.6 1700 50
5SLZ 76F1700 5SLZ 12F1700 SPT++/ FSA 7.7 x 7.7 1700 75
5SLY 86F1700 5SLY 12F1700 SPT+ 7.7 x 7.7 1700 75
5SLY 86G1700 5SLY 12G1700 SPT+ 8.6 x 8.6 1700 100
5SLZ 86J1700 5SLZ 12J1700 SPT++/ FSA 10.2 x 10.2 1700 150
5SLY 86J1700 5SLY 12J1700 SPT+ 10.2 x 10.2 1700 150
5SLY 86M1700/
5SLY 12M1700 5SLY 12M1700 SPT+ 13.5 x 13.5 1700 300

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和二極管模塊
ABB的 IGBT功率模塊為電壓從1700伏特至6500伏特的單一IGBT，雙/橋臂式IGBT，斬波和雙二極管模塊。
大功率的HiPak IGBT模塊具備軟開關(guān)低損耗和高極限較寬的SOA兩大特點(diǎn)。最新推出的62Pak快速轉(zhuǎn)換IGBT中壓功率模塊，具有最低的開關(guān)損耗，在175°C下全方SOA運(yùn)行，標(biāo)準(zhǔn)封裝要求并容易替換。
型號 電壓 
VCES (V) 電流
IC (A) 類型 包裝 Plecs
模擬
1.7 kV  
5SNG 0150Q170300 1700 2 x 150 Phase leg IGBT 62Pak XML
5SNG 0200Q170300 1700 2 x 200 Phase leg IGBT 62Pak XML
5SNG 0300Q170300 1700 2 x 300 Phase leg IGBT 62Pak XML
5SND 0800M170100 1700 2 x 800 Dual IGBT HiPak XML
5SNE 0800M170100 1700 800 Chopper HiPak XML
5SNG 1000X170300 # 1700 2 x 1000 Phase leg IGBT LinPak XML
5SNA 1600N170100 1700 1600 Single IGBT HiPak XML
5SNA 1800E170100 1700 1800 Single IGBT HiPak XML
5SNA 2400E170100 * 1700 2400 Single IGBT HiPak  
5SNA 2400E170305 1700 2400 Single IGBT HiPak XML
5SNA 3600E170300 1700 3600 Single IGBT HiPak XML
5SLA 3600E170300 1700 3600 Single diode HiPak XML
2.5 kV  
5SNA 1500E250300 2500 1500 Single IGBT HiPak XML
3.3 kV  
5SNG 0250P330305 3300 2 x 250 Phase leg IGBT HiPak XML
5SLG 0500P330300 3300 2 x 500 Phase leg diode HiPak XML
5SND 0500N330300 3300 2 x 500 Dual IGBT HiPak XML
5SNE 0800E330100 3300 800 Chopper HiPak XML
5SNA 0800N330100 3300 800 Single IGBT HiPak XML
5SLD 1000N330300 3300 2 x 1000 Dual diode HiPak XML
5SNA 1000N330300 3300 1000 Single IGBT HiPak XML
5SLD 1200J330100 3300 2 x 1200 Dual diode HiPak XML
5SNA 1200E330100 3300 1200 Single IGBT HiPak XML
5SNA 1200G330100 3300 1200 Single IGBT HiPak XML
5SNA 1500E330305 3300 1500 Single IGBT HiPak XML
4.5 kV  
5SNG 0150P450300 4500 2 x 150 Phase leg IGBT HiPak XML
5SLG 0600P450300 4500 2 x 600 Phase leg diode HiPak XML
5SLD 0650J450300 4500 2 x 650 Dual diode HiPak XML
5SNA 0650J450300 4500 650 Single IGBT HiPak XML
5SNA 0800J450300 4500 800 Single IGBT HiPak XML
5SLD 1200J450350 4500 2 x 1200 Dual diode HiPak XML
5SNA 1200G450300 4500 1200 Single IGBT HiPak XML
5SNA 1200G450350 4500 1200 Single IGBT HiPak XML
6.5 kV  
5SNA 0400J650100 6500 400 Single IGBT HiPak XML
5SNA 0500J650300 6500 500 Single IGBT HiPak XML
5SLD 0600J650100 6500 2 x 600 Dual diode HiPak XML
5SNA 0600G650100 6500 600 Single IGBT HiPak XML
5SNA 0750G650300 6500 750 Single IGBT HiPak XML