英飛凌mos管原裝IPA80R600P7 XKSA1正品N溝道功率場效應
發(fā)布者:
NBX2021 發(fā)布時間:2021-07-03 18:48:55
最新的800V CoolMOS?P7系列設(shè)置了800V的新基準
super junction technologies 和結(jié)合了同類性能和
先進的易用性,源于英飛凌18年的發(fā)展
開創(chuàng)性的“超級”連接“技術(shù)”創(chuàng)新。
特征
?同類 FOM RDS(on)* Eoss;減少的 Qg, Ciss,和 Coss
?同類 DPAK RDS(開)
?“同類”V(GS)th“3V”和“最小”V(GS)th“變化”±0.5伏
?集成齊納二極管 ESD 保護
?完全符合JEDEC工業(yè)應用要求
?完全優(yōu)化的投資組合
好處
?“同類”性能
?實現(xiàn)更高的功率密度設(shè)計, BOM 節(jié)省和更低
裝配成本
?“易于駕駛”和“平行行駛”
?通過減少ESD相關(guān)故障,提高產(chǎn)量
?“減產(chǎn)”問題和“減產(chǎn)”回報
?“易于”選擇“合適的”零件,以便對“設(shè)計”進行“微調(diào)”
潛在應用
推薦的用于硬和軟開關(guān)用于 LED的反激拓撲
照明、低功率充電器和適配器、音頻、輔助電源和
工業(yè)電源。也適用于消費類應用中的PFC階段
太陽能。
請注意:對于MOSFET并聯(lián),在柵極上使用鐵氧體磁珠
或者通常推薦使用“分開的圖騰柱”。
版權(quán)聲明:工控網(wǎng)轉(zhuǎn)載作品均注明出處,本網(wǎng)未注明出處和轉(zhuǎn)載的,是出于傳遞更多信息之目的,并不意味 著贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性。如轉(zhuǎn)載作品侵犯作者署名權(quán),或有其他諸如版權(quán)、肖像權(quán)、知識產(chǎn)權(quán)等方面的傷害,并非本網(wǎng)故意為之,在接到相關(guān)權(quán)利人通知后將立即加以更正。聯(lián)系電話:0571-87774297。