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西門(mén)子6ES7134-4MB02-0AB0
發(fā)布者:zhengyy999  發(fā)布時(shí)間:2018-06-04 15:29:35

西門(mén)子 模擬量電子模塊


  •  

概述

  • 模擬量輸入和輸出,用于 ET 200S
  • 采用自動(dòng)編碼,可插入到 TM-E 端子模板
  • 高性能型具有增強(qiáng)的功能、精度和分辨率
  • 高速型具有極快的速度、同步周期時(shí)間
  • 可以進(jìn)行模板的熱交換

注:

請(qǐng)查找組態(tài)指南,了解如何選擇合適的 TM-E 端子模塊。


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西門(mén)子工控系統(tǒng)及設(shè)備,品牌:SIEMENS(西門(mén)子)各種高中低壓電器.全新原裝 價(jià)格優(yōu)勢(shì) 質(zhì)量保證
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DP總線電纜接頭、PLC系列:S7-200、S7-200CN、S7-200Smart、S7-300、S7-400、S7-1200、S7-1500、觸摸屏、變頻器、伺服電機(jī)、S I T O P電源、電線電纜、數(shù)控系統(tǒng)、人機(jī)界面、軟啟動(dòng)器、西門(mén)子軟件等等、
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產(chǎn)品編號(hào) / 產(chǎn)品說(shuō)明

SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S,2 AI Standard U 15mm 結(jié)構(gòu)寬度 +/-10V;13 位+VZ +/-5V;12 Bit+VZ,1..5V;12 位 每通道循環(huán)時(shí)間 65ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 ET 200S:2 AI High Speed U, 15 位,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 模塊的循環(huán)時(shí)間:0.1ms, 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 針對(duì) ET200S,2AI Standard I-2DMU 15mm 結(jié)構(gòu)寬度 4.. 20mA;13 位 用于 2 線測(cè)量變換器 每通道循環(huán)時(shí)間 65ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 針對(duì) ET200S,2模擬輸入標(biāo)準(zhǔn)型 I-4DMU 15mm 結(jié)構(gòu)寬度 +/-20mA;13 位+VZ 4.. 20mA;12 位 針對(duì) 4-線測(cè)量變換器 每通道循環(huán)時(shí)間 65ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 ET200S:2AI High Speed I-2 線 0-20mA;4.. 20mA, 15 位,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 用于 2 線測(cè)量變換器 模塊的循環(huán)時(shí)間:0.1ms, 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 ET 200S:2AI High Speed I-4 線 4-20mA;16 位,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 用于 4 線測(cè)量變換器, 模塊的循環(huán)時(shí)間:0.1ms, 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 ET 200S,4AI Standard I-2 線, 4-20mA;13 Bit,15mm 結(jié)構(gòu)寬度 用于 2 線測(cè)量變換器 循環(huán)時(shí)間 40ms/模塊 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S,2 AI TC Standard; 15mm 結(jié)構(gòu)寬度,15 位+符號(hào)位 +/-80mV; 特性曲線線性化,用于 熱電偶,型號(hào): 色,E、J,K,L,N,R,S,T 每通道循環(huán)時(shí)間 65ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S, 2/4 AI RTD Standard, 15mm 結(jié)構(gòu)寬度,15 位+符號(hào)位 Pt100 STD;Pt100 KL; NI100 STD;NI100 KL; 150 歐姆;300 歐姆;600 歐姆; 循環(huán)時(shí)間 110ms/通道 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S,4 AI TC,+/-80mV; 15mm 結(jié)構(gòu)寬度,15 位+符號(hào)位 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))





SIMATIC DP,電子模塊 2 模擬輸入 U 高性能型 針對(duì) ET200S,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 每模塊的循環(huán)時(shí)間:0.5ms, +/-10V;15 位+符號(hào)位, +/-5V;15 位+符號(hào)位,1..5V;15Bit, 操作限值 +/-0.1% 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 2 AI I High Feature 用于 ET 200S,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 每模塊的循環(huán)時(shí)間:0.5ms, +/-20mA;15 位+符號(hào)位, 4.. 20mA;15 位, 操作限值 +/-0.1% 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 針對(duì) ET200S,2AI TC High Feature, 15mm 結(jié)構(gòu)寬度,15 位+符號(hào)位 帶內(nèi)部溫度 補(bǔ)償


SIMATIC DP,電子模塊 ET 200S:2AI RTD High Feature, 15mm 結(jié)構(gòu)寬度,15 位+符號(hào)位 精度 +/-0.1%, 用于 2/3/4 線制傳感器i, 帶有內(nèi)部補(bǔ)償 電纜電阻, 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 針對(duì) ET200S,2 AO U, 15mm 結(jié)構(gòu)寬度, +/-10V;13 位+符號(hào)位,1..5V;12 位, 循環(huán)時(shí)間小于 1ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S,2 AO U High Speed, 15mm 結(jié)構(gòu)寬度, +/-10V,+/-5V,1.. 5V;16 位, 循環(huán)時(shí)間:0.1ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S,2 AO I 15mm 結(jié)構(gòu)寬度 +/-20mA;13 位+符號(hào)位, 4..20mA;13 位 循環(huán)時(shí)間小于 1ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S,2 AO I High Speed 15mm 結(jié)構(gòu)寬度 +/-20mA;16 位, 4..20mA;16 位, 循環(huán)時(shí)間 0.1ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 2 AO U High Feature 用于 ET 200S,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 每模塊的循環(huán)時(shí)間:0.5ms, +/-10V;15 位+符號(hào)位, 1.. 5V;15 位, 操作限值 +/-0.07% 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))


SIMATIC DP,電子模塊 2 AO I High Feature 用于 ET 200S,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 每模塊的循環(huán)時(shí)間:0.5ms, +/-20mA;15 位+符號(hào)位, 4.. 20mA;15 Bit 操作限值 +/-0.05% 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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