西門(mén)子 模擬量電子模塊概述
注: 請(qǐng)查找組態(tài)指南,了解如何選擇合適的 TM-E 端子模塊。 |
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SIMATIC DP,電子模塊 2 模擬輸入 U 高性能型 針對(duì) ET200S,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 每模塊的循環(huán)時(shí)間:0.5ms, +/-10V;15 位+符號(hào)位, +/-5V;15 位+符號(hào)位,1..5V;15Bit, 操作限值 +/-0.1% 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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SIMATIC DP,電子模塊 2 AI I High Feature 用于 ET 200S,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 每模塊的循環(huán)時(shí)間:0.5ms, +/-20mA;15 位+符號(hào)位, 4.. 20mA;15 位, 操作限值 +/-0.1% 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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SIMATIC DP,電子模塊 針對(duì) ET200S,2AI TC High Feature, 15mm 結(jié)構(gòu)寬度,15 位+符號(hào)位 帶內(nèi)部溫度 補(bǔ)償
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SIMATIC DP,電子模塊 ET 200S:2AI RTD High Feature, 15mm 結(jié)構(gòu)寬度,15 位+符號(hào)位 精度 +/-0.1%, 用于 2/3/4 線制傳感器i, 帶有內(nèi)部補(bǔ)償 電纜電阻, 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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SIMATIC DP,電子模塊 針對(duì) ET200S,2 AO U, 15mm 結(jié)構(gòu)寬度, +/-10V;13 位+符號(hào)位,1..5V;12 位, 循環(huán)時(shí)間小于 1ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S,2 AO U High Speed, 15mm 結(jié)構(gòu)寬度, +/-10V,+/-5V,1.. 5V;16 位, 循環(huán)時(shí)間:0.1ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S,2 AO I 15mm 結(jié)構(gòu)寬度 +/-20mA;13 位+符號(hào)位, 4..20mA;13 位 循環(huán)時(shí)間小于 1ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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SIMATIC DP,電子模塊 用于 ET 200S,2 AO I High Speed 15mm 結(jié)構(gòu)寬度 +/-20mA;16 位, 4..20mA;16 位, 循環(huán)時(shí)間 0.1ms 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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SIMATIC DP,電子模塊 2 AO U High Feature 用于 ET 200S,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 每模塊的循環(huán)時(shí)間:0.5ms, +/-10V;15 位+符號(hào)位, 1.. 5V;15 位, 操作限值 +/-0.07% 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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SIMATIC DP,電子模塊 2 AO I High Feature 用于 ET 200S,15mm 結(jié)構(gòu)寬度, 每模塊的循環(huán)時(shí)間:0.5ms, +/-20mA;15 位+符號(hào)位, 4.. 20mA;15 Bit 操作限值 +/-0.05% 利用 LED 集中報(bào)錯(cuò)(集中報(bào)錯(cuò))
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